Гугин, П.
Объединенный институт физики полупроводников СО РАН
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-39-50
Доклад
- Александров А.*, Гугин П.**, Лаврухин М.**, Бохан П.**, Закревский Д.**, Швейгерт И.В.*
Субнаносекундное развитие пробоя В высоковольтном импульсном разряде: Влияние вторичной электронной эмиссии
*Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Новосибирcк), Россия
**Объединенный институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Россия