Назад
Гугин, П.
Объединенный институт физики полупроводников СО РАН
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-39-50
Доклад
Александров А.
*
,
Гугин П.
**
,
Лаврухин М.
**
,
Бохан П.
**
,
Закревский Д.
**
,
Швейгерт И.В.
*
Субнаносекундное развитие пробоя В высоковольтном импульсном разряде: Влияние вторичной электронной эмиссии
*
Институт теоретической и прикладной механики им. С.А. Христиановича СО РАН (Новосибирcк), Россия
**
Объединенный институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников