Бохан, П. А.
United Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Russia, 630090, Novosibirsk, pr. ac. Lavrentieva, 13
Phone: +7(383) 333-39-50
Report
- Александров А.*, Гугин П.**, Лаврухин М.**, Бохан П.**, Закревский Д.**, Schweigert I.*
Субнаносекундное развитие пробоя В высоковольтном импульсном разряде: Влияние вторичной электронной эмиссии
*Khristianovich Institute of Theoretical and Applied Mechanics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**United Institute of Semiconductor Physics SB RAS (Novosibirsk), Russia