Back
Гугин, П.
United Institute of Semiconductor Physics SB RAS
Russia, 630090, Novosibirsk, pr. ac. Lavrentieva, 13
Phone: +7(383) 333-39-50
Report
Александров А.
*
,
Гугин П.
**
,
Лаврухин М.
**
,
Бохан П.
**
,
Закревский Д.
**
,
Schweigert I.
*
Субнаносекундное развитие пробоя В высоковольтном импульсном разряде: Влияние вторичной электронной эмиссии
*
Khristianovich Institute of Theoretical and Applied Mechanics of SB RAS (Novosibirsk), Russia
**
United Institute of Semiconductor Physics SB RAS (Novosibirsk), Russia
To participants list